增强型 APT 样品制备可用于晶界偏析分析
- 原子探针层析 (APT) 是一种材料分析技术，可在原子尺度上实现三维化学成分和成像，特别适合晶界偏析分析。
- APT 分析需要使用制备成带有锋利尖端的样品，晶界分析要求这些边界位于样品尖端约 200nm 的范围内，以便进行有效表征。
传统 APT 样品制备
传统 APT 样品制备使用透射电子显微镜 (TEM) 中的电抛光和分析或使用聚焦离子束 (FIB) 进行制备，这类方法通常存在问题并且效率低下。
Atom Probe Assist 针对 APT 尖端的 t-EBSD 测量进行了优化
Atom Probe Assist 能够：
- 确定不同的晶粒边界类型（左下图），其中随机晶界为阴影黑色，特殊孪晶界为阴影白色，以帮助进行特定位点的 FIB 剥离取样。
- 确定环形 FIB 减薄步骤之间的晶界位置（右下方）。
智能 t-EBSD 花样采集
- 由于样品厚度和形状的不断变化，锥形 APT 样品对采集可用的 t-EBSD 花样带来了独特的挑战。
- 已开发专门的背景校正，以改善图像质量，确保从 APT 样本的薄（左下方）和厚（右下方）区域准确的检测条带和标定花样。
- 探测器采集参数也针对 t-EBSD 采集进行了专门优化，以缩减获取所需信息需要的时间和工作量。
单一仪器中的样品鉴定
- Atom Probe Assist 需要一个 FIB-SEM，用于将样品环形减薄至 APT 分析所需的尺寸。
- 将样品置于仪器内，使样品尖端平行于 FIB 光束。
- 此配置可在不移动样品的情况下进行减薄、SEM 成像及 t-EBSD 数据收集。
- 如此便消除了在两台仪器之间转移时发生损坏的风险，有效提高了样品产率。
增强的晶界衬度
- 晶界位置是通过 t-EBSD 分布确定的。
- 通过采集各个 FIB 薄片的这类数据，可检测和监测晶界位置。
- 当晶界与样品顶点之间的距离在要求范围内时，可对样品进行原子探针分析。
- 可快速收集分布图（约 3 分钟），以便快速确定晶界位置，最大限度减少样品污染。
晶界鉴定
- Atom Probe Assist 也可用于从样品中采集传统 EBSD 数据，以确定目标样品的晶界特征。
- 晶界特征信息对于理解晶界偏析问题十分重要，因为不同的晶界类型表现出不同的偏析行为。
- 这会影响各种材料性能，通过揭示晶界特征，可轻松瞄准特定晶界进行原子探针制备和分析。
Atom Probe Assist 与 Hikari Plus EBSD 相机联用
- 数据采集率高达每秒 1000 个标定点
- 取向精度 < 0.1°
- 低噪声探测器，用于高质量的 EBSD 和 t-EBSD 花样采集
- 荧光屏针对高速/高灵敏度操作进行了优化
Atom Probe Assist 与 TEAM™ EBSD 软件联用
- 定制的 Atom Probe Assist 数据采集模式
- 透射 EBSD 模式
- 智能系统可对动态数据采集参数进行不断优化
- 自定义 APT 分布图形状，自动或用户定义的步长低至 1 nm
资源
产品公告