Atom Probe Assist

Atom Probe Assist 提供了一种监测 FIB 薄片之间晶界位置的创新方法,以确保检测到晶界,并对后续原子探针分析进行正确定位。借助 Atom Probe Assist,透射 EBSD (t-EBSD) 可用于测量晶体取向并进行成像,在单台仪器内快速轻松地确定晶界位置。
Atom Probe Assist
增强型 APT 样品制备可用于晶界偏析分析
  • 原子探针层析 (APT) 是一种材料分析技术,可在原子尺度上实现三维化学成分和成像,特别适合晶界偏析分析。
  • APT 分析需要使用制备成带有锋利尖端的样品,晶界分析要求这些边界位于样品尖端约 200nm 的范围内,以便进行有效表征。
传统 APT 样品制备
传统 APT 样品制备使用透射电子显微镜 (TEM) 中的电抛光和分析或使用聚焦离子束 (FIB) 进行制备,这类方法通常存在问题并且效率低下。
Atom Probe Assist 针对 APT 尖端的 t-EBSD 测量进行了优化
Atom Probe Assist 能够:
  • 确定不同的晶粒边界类型(左下图),其中随机晶界为阴影黑色,特殊孪晶界为阴影白色,以帮助进行特定位点的 FIB 剥离取样。
  • 确定环形 FIB 减薄步骤之间的晶界位置(右下方)。
智能 t-EBSD 花样采集
  • 由于样品厚度和形状的不断变化,锥形 APT 样品对采集可用的 t-EBSD 花样带来了独特的挑战。
  • 已开发专门的背景校正,以改善图像质量,确保从 APT 样本的薄(左下方)和厚(右下方)区域准确的检测条带和标定花样。
  • 探测器采集参数也针对 t-EBSD 采集进行了专门优化,以缩减获取所需信息需要的时间和工作量。
单一仪器中的样品鉴定
  • Atom Probe Assist 需要一个 FIB-SEM,用于将样品环形减薄至 APT 分析所需的尺寸。
  • 将样品置于仪器内,使样品尖端平行于 FIB 光束。
  • 此配置可在不移动样品的情况下进行减薄、SEM 成像及 t-EBSD 数据收集。
  • 如此便消除了在两台仪器之间转移时发生损坏的风险,有效提高了样品产率。
增强的晶界衬度
  • 晶界位置是通过 t-EBSD 分布确定的。
  • 通过采集各个 FIB 薄片的这类数据,可检测和监测晶界位置。
  • 当晶界与样品顶点之间的距离在要求范围内时,可对样品进行原子探针分析。
  • 可快速收集分布图(约 3 分钟),以便快速确定晶界位置,最大限度减少样品污染。
晶界鉴定
  • Atom Probe Assist 也可用于从样品中采集传统 EBSD 数据,以确定目标样品的晶界特征。
  • 晶界特征信息对于理解晶界偏析问题十分重要,因为不同的晶界类型表现出不同的偏析行为。
  • 这会影响各种材料性能,通过揭示晶界特征,可轻松瞄准特定晶界进行原子探针制备和分析。
Atom Probe Assist 与 Hikari Plus EBSD 相机联用
  • 数据采集率高达每秒 1000 个标定点
  • 取向精度 < 0.1°
  • 低噪声探测器,用于高质量的 EBSD 和 t-EBSD 花样采集
  • 荧光屏针对高速/高灵敏度操作进行了优化
Atom Probe Assist 与 TEAM™ EBSD 软件联用
  • 定制的 Atom Probe Assist 数据采集模式
  • 透射 EBSD 模式
  • 智能系统可对动态数据采集参数进行不断优化
  • 自定义 APT 分布图形状,自动或用户定义的步长低至 1 nm
关注WordPress.com